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采用磁控溅射法在Si（100）基板上沉积厚度为50nm的V、V-N和V/V-N扩散阻挡层,并在扩散阻挡层上制备了厚度为300nm的Cu薄膜,最终获得了Cu/V/Si、Cu/V-N/Si和Cu/V/V-N/Si 3种多层薄膜.薄膜样品在300-750℃真空热处理1h后,通过X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）和四探针电阻测试（FPP）仪对薄膜样品的晶体结构、微观组织形貌和方块电阻进行测试表征,对比分析了V、V-N和V/V-N 3种扩散阻挡层的扩散阻挡性能.实验结果表明：V、V-N和V/V-N扩散