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由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降低带隙密度的方法-氢化.
多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究
【摘 要】
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由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降
【机 构】
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中国电子科技大学光电信息学院
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2005年9期
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