悬挂键相关论文
介绍了目前人们对非晶硅表面钝化本质的认识在半导体物理方面多限于钝化后硅片少子寿命的提高以及由此推算所得表面复合速率的大小......
用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm的α-SiN纳米粒子，研究了不同浓度的α-SiN纳米粒子胶体溶液荧光光谱的变化。描述了α-S......
本文详细叙述了一套超高真空镀膜系统用于低压等离子体化学气相沉积的研制;详细讨论采用低压等离子体化学气相沉积法来制备CH薄膜......
本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si1-xCrx 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外......
作者用自己改装的椭圆偏振光谱仪在可见光范围内研究了射频溅射非晶态硅薄膜的光学性质;提出能同时确定薄膜折射率实数部分n和消......
原子层外延生长(ALE)最初被设想为生长半导体化合物的一种方法,生长层具有大面积的非凡均匀性,层面厚度能被精确控制。当应用于金......
不过与终止两个边的 H 原子轧了 nanoribbons ( GaNNRs )是无磁性的半导体，在费密水平附近的额外的摇契约乐队导致转变从对半导体金......
六方氮化硼是一种与石墨烯结构类似的二维层状宽带隙绝缘材料,具有各种优异的物理性质.例如,它具有优异的力学性质和化学、热稳定......
在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬......
化学汽相沉积金刚石生长表面的悬挂键是其赖以成核和生长的表面活性格点。但是两个以上悬挂键聚集在一起时,局部表面能量比较高,悬......
本文提出了一种严格校准调制光电流相移的方法，在此基础上，采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜费米能级以......
利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了ＣｄＴｅ（１１０）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与......
将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .......
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束......
在分析了非晶硅（ａ－Ｓｉ）材料的模型后，提出了一种能够反映ａ－Ｓｉ材料结构特点的无规网络模型。以此模型为基础，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟计算了能量为０．５～２．５ＭｅＶ的电子束与ａ－Ｓｉ的......
高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡（ｂｕｂｂｌｅ）和微孔（ｃａｖｉｔｙ）．我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌．二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注......
根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢......
采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道......
采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处......
本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的......
近年来,用量子化学—原子簇方法研究固体的电子性质,例对固体表面、体内杂质和缺陷、无序体系的电子结构等的研究越来越引起人们......
根据原子杂化轨道指向与键方向一致的假设,结合原子的电子轨道正交归一性条件,导出了共价半导体表面原子杂化轨道与原子结构位置的......
对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量......
系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显......
以碱为分散剂进行预处理，以混酸为氧化剂对碳纳米颗粒进行氧化，研究了一种新的碳纳米管纯化方法．从热力学角度对氧化反应的可行性进行......
对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相......
通过分子动力学模拟的方法对感应耦合等离子体刻蚀中Lag效应的产生机理进行了研究.研究结果表明,在刻蚀过程中普遍存在Lag效应,宽......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿型AlN中引入不同电荷态的N空位和Al空位时结构中最大局域化Wan......
本文提供了一种可控制掺氢量的a-Si氢化工艺,这种工艺是在高真空下,用射频氢等离子体(频率15MHz,功率几十瓦)将预先沉积好的纯a-S......
本文就不同条件下,利用硅烷分解的辉光放电技术,制备了非品态Si-H二元合金.掺入的氢原子与非晶态硅中的悬挂键构成单氢键硅SiH_1......
材料(如硅)上形成清洁表面时,原先在固体内部的化学键在新的表面上就成为自由的。了解这些表面态悬挂键如何与气体(例如氧)连接使......
用射频辉光放电法制备了a Si:H样品 ,并对样品进行了光照测试 实验表明 ,样品经过光照后 ,光电流和暗电流逐渐减小 ,在光照初期 ,......
本文采用分子动力学模拟方法研究了Si表面间单壁水平碳纳米管束SWCNT(10,10)的变形和摩擦特性.系统在弛豫平衡后,首先对碳纳米管束......
为了满足微电子器件不断扩展到更小尺寸的需求,SiO_2栅极介电层被高介电常量材料Hf(Zr)O_2所替代,以尽可能减少流过介电薄膜的漏电......
本文首次系统地研究了非晶硅基合金膜的 ESR 共振波形,其中包括掺杂、光照、退火及测试温度等因素对 ESR 波形的影响。初步讨论了 ......
为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量150eV）轰击Si表面，即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子......
在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电......
采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_(ph)/σ_d)达到10_6量......
本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接......
给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的......
