【摘 要】
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本文采用溶胶-凝胶法制备掺杂Mn的ZnO薄膜,并直流磁控溅射V掺杂的ZnO薄膜,研究Mn、V掺杂浓度以及制备工艺对于ZnO薄膜微观组织和电学性能的影响。研究发现,溶胶-凝胶法制备Zn
【机 构】
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北京理工大学信息学院,中国科学院声学研究所
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本文采用溶胶-凝胶法制备掺杂Mn的ZnO薄膜,并直流磁控溅射V掺杂的ZnO薄膜,研究Mn、V掺杂浓度以及制备工艺对于ZnO薄膜微观组织和电学性能的影响。研究发现,溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜,最佳热处理温度为450℃前烘和700℃退火处理结合。掺杂ZnO薄膜结构显示,Mn、V离子部分替代Zn离子进入ZnO晶格的内部。Mn掺杂ZnO薄膜浓度约为1%时,或V元素掺杂浓度为2%时,ZnO薄膜中的(002)晶向的衍射峰最强,显示出一定的C轴择优生长性。
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