V掺杂相关论文
近年来,随着石墨烯的发现,二维材料进入了人们的视野,其中二维层状过渡金属硫属化合物（TMDCs）作为二维材料中重要的一部分,有着最轻......
ZnO基半导体材料作为最具代表的第三代半导体材料之一，因为其优异的物理性能和环境因素而备受人们关注。尤其是近年来，由于人们对半......
因具有理论容量高、资源丰富、价格低廉、对环境友好等优点，新型锂离子电池正极材料Li3MnO4具有良好的应用潜力，但是也存在电导性和......
本文应用密度泛函理论中的广义梯度近似研究了不同浓度V掺杂TiO_2的电子性质以及掺杂对TiO_2光吸收和光催化活性的影响；同时还研究......
采用标准固相反应法制备了La0.45Ca0.55Mn1-xO3(x=0.00,0.06,0.10,0.12)多晶样品.通过XRD、ρ-T曲线、M-T曲线和ρ-T拟合曲线,研究......
用固相反应法制备了La0.4 Ca0.6 Mn1 -xCrxO3(LCMCO)和La0.4Ca0.6Mn1-yVyO3 (LCMVO)(x,y=0.00,006,0.08)多晶样品.通过XRD、M-T曲......
针对Mo O3气敏材料工作温度较高(300~500℃)、对低浓度气体检测能力有限等问题,采用水热法制备V掺杂Mo O3纳米带材料并组装成气敏......
采用水热法合成了LiFe1-xVxPO4/C,粉体颗粒呈球形,直径约为300 nm,结果表明钒掺杂没有改变晶体结构,引入V显著提高了材料的电化学......
利用溶胶-凝胶法制备前驱体,并在空气气氛中进行热处理,合成了具有六方纤锌矿结构的纯相ZnO及V掺杂ZnO纳米颗粒.分别用X射线衍射仪......
以钒钛合金为原料,应用阳极氧化法制备出高度致密、有序的V掺杂TiO2纳米管阵列。应用扫描电镜（SEM）和粉末X光衍射仪（XRD）表征分析纳米......
以LiH2PO4和廉价的Fe2O3为原料,葡萄糖为有机碳源,通过选择高价V5＋进行铁位掺杂固相合成碳包覆复合改性的LiFe1-xVxPO4/C（x=0,0.01,0......
用溶胶-凝胶法制备V掺杂纳米TiO2粉体.研究温度对纳米粉体晶粒尺寸及晶型转变的影响.用X射线衍射仪对制备的产物进行物相分析.用谢......
0引言氧化锌是一种六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体，其室温下禁带宽度为3．37eV。它具有多种优良的物理性能，在声表面波㈦、透明电极......
本文采用直流磁控溅射技术和高功率脉冲磁控溅射技术制备了不同V含量的TiVN和TiAl VN纳米复合涂层,旨在研究V元素掺杂对涂层微观结......
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体碲锰镉(Cd1-xMnxTe或者CdMnTe)因其优异的光电性能,在红外激光器、磁光开关、制备室温X射线、g射线探测器等领......
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首先采用微弧氧化法制备了多孔的TiO2膜,然后以NH4VO3为反应介质,对其进行水热后处理,制备了V掺杂的TiO2膜。分别利用环境扫描电镜......
本文采用溶胶-凝胶法制备掺杂Mn的ZnO薄膜,并直流磁控溅射V掺杂的ZnO薄膜,研究Mn、V掺杂浓度以及制备工艺对于ZnO薄膜微观组织和电......
TiO2由于具有较高的光催化活性、无毒、稳定等优点，被广泛地应用到光解水、碳氮固定、降解有机物等光催化领域中。而且有研究表明，含......
纳米TiO2所具有的独特半导体、气敏、光敏、光催化等诸多优良性能使其在光催化剂、传感器、染料敏化太阳能电池、自净陶瓷、抗菌自......
Cd1-x Mnx Te(CMT)晶体属于II-VI族三元化合物半导体材料,被称为第二代稀释磁性半导体材料,上世纪80年代末,人们开始研究Cd1-xMnx ......
学位
日益加剧的能源危机正成为全世界关注的热点问题之一,开发和利用新型替代材料和节能技术是有效缓解能源危机的重要途径。本研究提......
使用V2O5和乙醇作为V掺杂TiO2的滴加液,运用溶胶-凝胶方法制备了不同浓度的V掺杂锐钛矿相TiO2的薄膜样品.对这些样品进行了紫外-可......
