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利用光致发光，横截面透射电子显微镜对金属有机物气相处延生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料中的有序结构进行了研究。实验结果指出（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料的光学性质和结构性质有密切关系。
In0.5Ga0.5P／GaAs材料系中有序结构的研究
【摘 要】
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利用光致发光，横截面透射电子显微镜对金属有机物气相处延生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料中的有序结构进行了研究。实验结果指出（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料
【机 构】
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中国科学院半导体材料科学实验室
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1997年3期
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