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具有热稳定性的Ge/Ni/TiWN/Au与n—GaAs接触性能的研究
具有热稳定性的Ge/Ni/TiWN/Au与n—GaAs接触性能的研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:z362523
【摘 要】
:
采用Ge/Ni/TiWN/Au多层金属化结构与n-GaAs的固-固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经600℃热处理或获得7.3×10^-^7Ω.cm的最小接触电阻率,俄歇能谱分析表明TiWN与Au之间,以及它们与GaAs界面之间的互扩散较小,具有良好的
【作 者】
:
郝冠军
夏先齐
陈存礼
【机 构】
:
南京电子设备研究所,南京大学
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1994年5期
【关键词】
:
热稳定性
接触性能
砷化镓
半导体
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采用Ge/Ni/TiWN/Au多层金属化结构与n-GaAs的固-固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经600℃热处理或获得7.3×10^-^7Ω.cm的最小接触电阻率,俄歇能谱分析表明TiWN与Au之间,以及它们与GaAs界面之间的互扩散较小,具有良好的热稳定性。
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