可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用

来源 :邮电研究 | 被引量 : 0次 | 上传用户:abcttf2005
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反射式速调管要求供给较高的电压和较大的电流。大功率分布作用腔式速调管则要求供给更高的电压和更大的电流。其腔体电压和收集极电压要求在2500伏以上,腔体电流和收集极电流总计将超过100毫安。现有的设备(如:WY—21通用速调管电源、WS—1等)均不能满足要求。为此,采用可控硅逆变器设计试制了较大容量的高压电源(见封 Reflective klystrons require higher voltages and larger currents. High-power distributed cavity klystron tubes are required to supply higher voltages and larger currents. Its cavity voltage and collector voltage requirements above 2500 volts, cavity current and collector current total will exceed 100 milliamperes. Existing equipment (such as: WY-21 universal klystron power supply, WS-1, etc.) can not meet the requirements. To this end, the use of SCR inverter trial design of a larger capacity high-voltage power supply (see the seal
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