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在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应,观察到较大的库仑阈值电压.对试验数据进行了分析,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果.
多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析
【摘 要】
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在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,河北半导体研究所
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
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