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首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰.该峰具有与局域发光完全不同的光学性质.通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光.这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据.在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随