【摘 要】
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文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究，比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷，干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12．5
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文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究，比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷，干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12．5nm干法氧化栅氧工艺条件，对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿（TDDB）的可靠性，结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12．5nm栅氧在常温5．5V工作电压下TDDB寿命远大于10年，满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
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