【摘 要】
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由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究.通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6 μm和12 μm减小到了6.6～10.0 μm和8.4 μm.该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域.
【机 构】
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北京北方华创微电子装备有限公司,北京 100176
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由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究.通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6 μm和12 μm减小到了6.6～10.0 μm和8.4 μm.该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域.
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