磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

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【摘要】

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本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得

【作者】

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吴厚政刘宜华代由勇张林萧淑琴

【机构】

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山东大学物理与微电子学院

【出处】

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金属学报

【发表日期】

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2002年10期

【关键词】

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磁场退火巨磁阻抗效应非晶态软磁钴基合金薄带趋肤效应 giant magnetoimpedance effect Co based amorphous s

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本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.

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