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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,优化了ZnO晶胞结构,从理论上获得了ZnO电子结构和光学性质.通过对能带结构和态密度的分析,可知ZnO是典型的直接带隙半导体.对光学响应函数的计算给出了带间跃迁占主导地位的ZnO材料的介电函数、吸收曲线、反射率,理论结果与实验符合甚佳,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据.