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通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响，并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度。通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。
大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系
【摘 要】
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通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响，并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度。通过高温退
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金(69876011),,河北省自然科学基金,,河北省科技攻关计划资助项目
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