【摘 要】
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GaAsHBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一，而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel—Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律，
【机 构】
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东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,苏州工业园区教育投资发展有限公司＆苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心
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GaAsHBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一，而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel—Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律，给出了CBC随输入功率的变化趋势，并基于Microwave Office软件进行了仿真验证。理论分析及仿真结果表明：CBC随输入信号功率的增大而增大，是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因，最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性。
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