单层MoSe2-WSe2平面异质结的可控生长及表征

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaodixi000

【摘要】

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二维(2D)材料由于其独特的性质和原子级厚度而受到了广泛的关注。尽管目前学术界与工业界已经成功地制备了具有不同光学和电学性质的单种2D材料,但是为了构建用于实际应用的

【作者】

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段智勇颜元凯顾杰万茜顾晓峰

【机构】

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江南大学电子工程系

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

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2018年12期

【关键词】

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钼酸铵钨酸铵化学气相沉积平面异质结 ammonium molybdate((NH4)6Mo7O24·4H2O)ammonium tungstat

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61804067),江苏省自然科学基金(BK20170193),江苏省“双创博士”资助项目(1256010241180240),中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP11746, JUSRP51726B),江南大学新进人员科研启动基金(1255210322161270).

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二维(2D)材料由于其独特的性质和原子级厚度而受到了广泛的关注。尽管目前学术界与工业界已经成功地制备了具有不同光学和电学性质的单种2D材料,但是为了构建用于实际应用的更复杂的器件,必须开发用于制造2D异质结构的策略。在这里主要研究了单层二硒化钼(MoSe2)与二硒化钨(WSe2)平面异质结的生长,以水溶性钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)与钨酸铵((NH4)10W12O41)分别作为钼源与钨源,通过改进的一步生长法,并调控前驱体反应位置、含量与生长时间、温度等关键生长参数,采用化学气相

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