Si／Ti／Au／Si键合技术研究及其应用

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【摘要】

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运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420 ℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上.该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给

【作者】

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杨道虹徐晨李兰吴(王夋)苗沈光地

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院

【出处】

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光电子．激光

【发表日期】

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2004年7期

【关键词】

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共熔键合微电子机械系统高温退火 Au/Si Si/Si AnnealingEutecticsFabricationInfrared detectorsMag

【基金项目】

：

北京市教委科研项目

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运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420 ℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上.该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法.

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