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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料．随硅烷浓度的降低，材料晶化率增加，材料的光学带隙在1．5～1．65eV之间，材料的电导率先增加后减小．采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量，研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响．实验表明，等离子中的SiH^+和Hn^+对微晶硅材料特性有重要的影响，硅烷浓度为2％～4％时，等离子体中Hn^+／SiH^+的比值处于0．6～0．9，可以得到晶化率在40％～55％的微晶硅材料。