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使用ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ分析和表面分析法，对２％Ｃｌ２／２０％Ｏ２／Ａｒ环境中Ｓｉ３Ｎ４陶瓷在１１５０℃和１３５０℃时的化学反应进行了研究，在１１５０℃，ＳｉＯ２层Ｃｌ２有少的渗透趋向，氧扩散穿过ＳｉＯ２层而发生反应，但在１３５０℃某些添加物和杂质，向表层和晶养扩散，且Ｃｌ２与Ｓｉ３Ｎ４的反应对腐蚀有较大影响。