【摘 要】
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本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束合成、掺杂、器件隔离与钝化。
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【机 构】
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中山大学物理系98博 广州 510275
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本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束合成、掺杂、器件隔离与钝化。
This article describes the crystal structure, material properties and preparation methods of a wide bandgap semiconductor material, SiC. At the same time, the application of ion beam technology in SiC research is summarized. These include SiC ion beam synthesis, doping, device isolation and passivation.
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