堆垛次序相关论文
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高......
日本中央大学理工学院Mitsru Ohtake等人采用MgO(111)单晶基体,加热到300℃,制备CoPt和Co3Pt外延膜,从密排面有序度和原子堆垛次序......
因为α-Ti是密排六方结构。如图1所示,取六棱柱体为晶胞,这样的晶胞中包含有六个原子,晶胞内有三个原子,12个顶角原子和上下两个......
本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束......
叙述了高压方法在高温超导研究中的应用概况,着重介绍了用高温高压法合成高温超导新材料、在新材料探索中高压的特点和所起的作用,以......
以含碳的二氧化硅干凝胶为原料,采用碳热还原法制备了孪晶结构β-SiC纳米线。通过场发射扫描电镜、X射线衍射和高分辨透射电镜等测......
利用行星式球磨机、X射线衍射仪和差热分析仪研究了Mo和Si元素混合粉末的机械合金化行为.结果表明,随着球磨时间的延长,Mo,Si混合粉末......
对不同有序度下的B2结构Fe_3Al进行了场离子显微镜(FIM)研究.不论是否达到最大B2有序度,FIM像的总体规则程度均很差,难以由常规方法得到有序度的信息.但......
利用透射电子显微镜对气固相法制备的α-Si_3N_4和β-Si_3N_4晶须的显微结构进行了研究。实验发现α-Si_3N_4晶须具有何(1010),(1011)和[0001]三个生长方向,并且α-Si_3N_4晶须中有大量的......
引言 对于超大规模集成电路(VlSI)的部件来说,必须要求芯片有高的表面寿命,因为在一个长时期内,需要维持一定的注入电荷。然而,应......
单晶硅是目前制造半导体器件、集成电路的最重要的基本材料.但是,利用硅单晶来制造器件,必须经过切片、磨片、抛光等多道工艺,把它......