论文部分内容阅读
借助于电学测量和低温红外分析技术，研究了微氮硅单昌中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心。低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成。
微氮硅单晶中新施主的形成特性
【摘 要】
：
借助于电学测量和低温红外分析技术，研究了微氮硅单昌中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心。低温４５０℃预退火能促进新
【机 构】
：
浙江大学硅材料科学国家重点实验室
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1996年7期
【基金项目】
：
国家自然科学基金
其他文献
一、民心网上关于村委会换届选举的热点问题近一时期以来,民心网上关于村民委员会换届选举方面的诉求主要集中在以下几个方面:1.关于选民登记的范围。一方面,户籍不在本村,但
日本语能力测试３级模拟试题（上）［文字·语］问题Ⅰ一番问１（１）（２）（３）（４）（１）大切１．２．３．４．（２）仕事１．２．３．４．１（３）急１．２．３．４．（４）１．２．３．４．问２（１）（２）（３）（１）１．２．３．４．（２）部屋１．２．３．４...
本文报道一种低阻高化学稳定的Ａｌ：Ｔｉ合金的制备方法及其在ａ－Ｓｉ ＴＦＴ中的应用。所获Ａｌ：Ｔｉ合金电极材料和电阻率可达９。６μΩ·ｃｍ，与纯铝的相近。Ｔｉ的加入使Ａｌ：Ｔｉ合金惰性增强，有效地抑制小丘（Ｈｉｌｌｏｃｋ）的生产和阳极
上海外语学院编的《日语》第二册第八课中有这样的一段对话:赵:曹:对于其中的意义,学生们感到难以理解因为以前学的的意义是:①表示同样,相当于汉语的副词“也”(见上外《日
研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍ Ｐｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性。结果表明高温短时间退火（６００℃、３ｍｉｎ）有利于形成连续的ＰｔＳｉ膜。
在熔化极气体保护焊(Gas metal arc welding,GMAW)过程中,当熔滴过渡转变为旋转射流过渡时,电弧不稳,焊缝成形变差。在Q235低碳钢上开展工艺试验,探究焊接过程中产生的飞溅和
我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源，为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构