硅化铂相关论文
过渡金属硅化物由于其特殊的物理和化学性能,被广泛应用于高温涂层、磁性材料、热电材料、微电子材料等领域,其纳米材料更是在涉氢......
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本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.
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该文论述了锑化铟（ＩｎＳｂ）；碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）和硅化铂（ＰｔＳｉ）等几种焦平面红外阵列器件的基本特性，发展现状以及在天文学中的应用。还介绍了采用５１２×５１２ＰｔＳｉ ＣＳＤ红外焦平面......
A new 128×128element PtSi Schottky barrier infrared image sen-sor with ITCCD readort structure and PtSi thin film o......
对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反庆形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５－－２０ｍｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基......
分析了B 型（Pt-30Rh/ Pt-6Rh）偶丝在应用中脆断失效的原因。采用透射电镜和金相显微镜对脆断偶丝进行微 观组织和形貌观察，通过定性和......
本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层（～20nm）进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的......
硅化铂红外焦平面探测器具有规模大、均匀性好、响应光谱宽、制造成本低、性能稳定等优点，但也存在着光电转换量子效率低、探测元填......
ＰｔＳｉ红外焦平面列阵的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉ ＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描特点，对小......
概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面是技术的新发展。...
研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍ Ｐｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性。结果表明高温短时间退火（６００℃、３ｍｉｎ）有利于形成连续的ＰｔＳｉ膜。......
为了改善PtSiIRCCD器件的红外响应特性，需要添加长焦距微透镜阵列进行焦平面集光，本文提出了一种新的方法—曲率补偿法用于长焦距微......
概述军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒外焦平面阵列器件的新近发展与应用。...
本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于......
本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。......
评述了ＰｔＳｉ消特基势势垒红外焦平面列阵的的研究进展。近年来，国外采用一些新的器件结构，制成了高性能的大型凝视ＰｔＳｉ红外焦平面列阵。......
本文介绍了国内首见报导的32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面的物理设计方法。作者从计算探测目标的辐射能量出发,综合考虑......
本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。......
利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/p-Si异质薄膜，采用X射射光电子谱（XPS）测试其芯能级和介电子能谱。结果表明，其相形成由......
本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.......
讨论了硅化铂红外焦平面凝视成像系统光谱响应和持性和测量方法，对其光谱响应特性进行了实验定标，并分析比较了实验测量值和 分离预......
美国Ｉｎｆｒａｍｅｔｒｉｃｓ公司于１９９３年同商业市场推出它的ＩｎｆｒａＣＡＭ＾ＴＭ，从而为手持，轻量，低功率，便携的红外敏感器确立了标准，现在，这项标准的工业界依然是无可比拟的，根据与美......
目前的中波红外探测器，如锑化铟、碲镉汞和硅化铂探测器，都需要使用昂贵的、笨重的和耗电的低温制冷器或者昂贵的多级热电制冷器。对......
