【摘 要】
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本文利用优化的种子层结构和工艺参数,以AlSc合金靶为靶源,以脉冲直流反应磁控溅射AlSc合金靶的方式在室温下制备了ScAlN薄膜,同时设计并制作了压电测试专用结构,解决了ScAlN
【机 构】
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洛阳师范学院物理与电子信息学院,北京卫星环境工程研究所,重庆大学光电工程学院
【基金项目】
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重庆市基础科学与前沿技术研究项目(No.cstc2017jcyjAX0237),国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2015AA042603),国家重点研发计划资助项目(No.2018YFF01011200),国家自然科学基金青年基金资助项目(No.61804016),国家自然科学基金资助项目(No.51775070)
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本文利用优化的种子层结构和工艺参数,以AlSc合金靶为靶源,以脉冲直流反应磁控溅射AlSc合金靶的方式在室温下制备了ScAlN薄膜,同时设计并制作了压电测试专用结构,解决了ScAlN腐蚀工艺不成熟的问题,结合X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪、准静态d33分析仪、纳米压痕法等方法表征了薄膜的结晶质量、组成成分和机电耦合系数等性能。由表征结果可知,所制备的Sc0.35Al0.65N薄膜具有高度c轴择优取向,摇摆曲线的半高宽低至2.167°,同时结晶致密,有少量贝壳状凸起。薄膜的压电常数d33为-23.
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