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１１２ＭｅＶ Ａｒ离子在５０Ｋ以下的低温辐照Ｓｉ到８×１０＾１４／ｃｍ＾２剂量，室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐射引起的缺陷产生及其退火行为。结果表明：Ａｒ离子辐照在Ｓｉ中引起了中性四空位（Ｓｉ－Ｐ３心）、带正电荷的〈１００〉劈裂的双间隙子（Ｓｉ－Ｐ６心）以及连续的非晶层３种缺陷的形成。在２００℃的退火温度，Ｓｉ－Ｐ３心和Ｓｉ－Ｐ６心消失，这时带负电荷的五空位（Ｓｉ－Ｐ１心）开始生长，Ｓｉ－Ｐ