掠入射衍射相关论文
利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射Ｘ射线衍射实验方法。对Ｓｉ表面生长的Ｇｅ／Ｓｉ量子点及其在Ｓｉ表层产生的应变进行了成......
采用离子束溅射方法在单晶Si(100)基片上沉积厚度为100nm的Al2O3薄膜,利用原子力显微镜、X射线光电子能谱、掠入射衍射等微观分析......
利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术，以α-Al2O3（001）为衬底，在不同衬底温度下制备ZnO薄膜。利用X射线衍射（XRD）和同步辐射掠入射X射线衍射（GID）研究......
3 同步辐射中的掠入射X射线衍射和表面结构3．1 同步辐射中的掠入射X射线衍射术掠入射散射（GIS）和掠入射衍射（GID）已在表面科学和表面工......
在不同的衬底温度下，用脉冲激光沉积（PLD）方法制备了C轴高度取向的ZnO薄膜．采用同步辐射掠入射X射线衍射（GID）技术研究了ZnO薄膜与Si（111）......
在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延（SSMBE）技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si（111）上所生长的SiC薄膜为......
在单晶Si基片用离子束溅射沉积法制备了1-100 nm的Al2O3纳米薄膜.利用原子力显微镜分析和研究了不同厚度Al2O3纳米薄膜的表面形貌,......
采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进......
