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重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响，并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命，发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm，扩散后的方块电阻控制在60～70Ω／口时，扩散后硅片少子寿命最高达到了10．45μs，与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多；此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高迭40．4Ω和8522mA，光电转换效率也由16．69％（干氧流量2000sccm）提高到了16．83％。此外，主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影