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从理论上对电子辐照在４Ｈ－ＳｉＣ中引入的缺陷数量和各种缺陷能级进行了分析。结果表明，ＥＨ６和ＥＨ７缺陷能级在４Ｈ－ＳｉＣ中起着有效复合中心的作用。采用ＳＲＨ模型来估计电子辐照下４Ｈ－ＳｉＣ的少子寿命，并给出了电子辐照下４Ｈ－ＳｉＣ少子寿命损伤系数的模型。结合具体的测量条件，证明了这个模型是合理的。辐照电子对Ｓｉ、ＧａＡｓ和４Ｈ－ＳｉＣ产生的不同影响展示了在高空、高辐照条件下SiC存在着优势。