在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄......

该文针对氢离子敏场效应管(H-ISFET)在研制过程中出现的突然反型，即阀值电压V负跳变几伏至十几伏的现象，进行了研究。以H-ISFET理论......

电离辐射在MOS结构的SiO层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO导注入，从......

闪存具有高密度、快速、高可靠性等特点，越来越受到国防和空间电子应用的关注。闪存结构复杂，主要包含用于实现逻辑功能的控制电路部......

电离辐射在ＭＯＳ结构的ＳｉＯ２层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正强栅偏压（＋２０Ｖ）下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向ＳｉＯ２层隧道注入，从而与......