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为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数 ,证实了采用此项工艺能降低LEC GaAs晶片的砷沉淀密度 ,即AB EPD ,同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析 ,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。