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半绝缘砷化镓单晶片相关论文
非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速......
期刊
半导体物理学
砷沉淀
AB微缺陷
半绝缘砷化镓单晶片
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