【摘 要】
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近几年来,难熔金属硅化物的研究引起了人们的极大兴趣.随着集成电断向超大规模发展,器件的尺寸不断缩小,芯片的面积和电路的复杂程度持续上升,这就对集成电路制造中的材料和
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近几年来,难熔金属硅化物的研究引起了人们的极大兴趣.随着集成电断向超大规模发展,器件的尺寸不断缩小,芯片的面积和电路的复杂程度持续上升,这就对集成电路制造中的材料和工艺技术有了新的要求.自二十世纪六十年代后期以来,一直是用金属铝和多晶硅作为集成电路的互连与栅极.
In recent years, the study of refractory metal silicide has aroused great interest.With the large-scale development of integrated circuit power, the device size continues to shrink, the chip area and circuit complexity continues to rise, which is integrated New demands have been placed on material and process technology in circuit manufacturing, which has been the use of metallic aluminum and polysilicon as interconnects and gates for integrated circuits since the late 1960s.
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