【摘 要】
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采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200-400℃)硫化10 h得到FeS2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析.X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室
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采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200-400℃)硫化10 h得到FeS2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析.X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时易生成硫单质相,随温度的升高,S单质相部分参加反应变为FeS2相,FeS2的S2p峰出现在低能位置,而遗留的单质S的S2p束缚能位置不变.卢瑟福背散射(RBS)测得400℃时薄膜中元素Fe/S接近FeS2的理想化学计量比.
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