【摘 要】
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利用激光沉积技术,在SrTiO3和Y-ZrO2衬底上原位制备了(Bi,Pb)2Sr2CuOx薄膜.当衬底温度为Ts=703℃,氧分压为100mtorr时,X射线显示,生长的2201相(Bi,Pb)2Sr2CuOx薄膜具有C轴垂直于衬底表面的外延取相.我们对衬底温度与薄膜结构,晶格常数,和薄膜电阻率的
【机 构】
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北京大学物理系与分观物理国家重点实验室
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利用激光沉积技术,在SrTiO3和Y-ZrO2衬底上原位制备了(Bi,Pb)2Sr2CuOx薄膜.当衬底温度为Ts=703℃,氧分压为100mtorr时,X射线显示,生长的2201相(Bi,Pb)2Sr2CuOx薄膜具有C轴垂直于衬底表面的外延取相.我们对衬底温度与薄膜结构,晶格常数,和薄膜电阻率的影响,进行了研究.
(Bi, Pb) 2Sr2CuOx thin films were deposited on SrTiO3 and Y-ZrO2 substrates by laser deposition. When the substrate temperature is Ts = 703 ℃ and the partial pressure of oxygen is 100mtorr, X-ray shows that the grown 2201-phase (Bi, Pb) 2Sr2CuOx thin film has an epitaxial phase with the C-axis perpendicular to the substrate surface. We investigated the effect of substrate temperature on film structure, lattice constant, and film resistivity.
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