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期刊论文
SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:imyylam
【摘 要】
:
采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次.采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD
【作 者】
:
马丽芬
许颖
任丙彦
勾宪芳
王文静
万之坚
李海峰
【机 构】
:
北京市太阳能研究所,河北工业大学信息功能材料研究所,清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
【出 处】
:
太阳能学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
RTCVD
SiSiC
多晶硅
薄膜
【基金项目】
:
国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划);北京市自然科学基金
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采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次.采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础.
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