【摘 要】
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以钍（Ⅳ）为模板离子,制备了基于硅胶表面修饰的离子印迹聚合物.采用傅立叶变换红外光谱和N2吸附-脱附对其进行了结构表征.通过静态分析和动态分析系统研究了印迹聚合物对钍（Ⅳ）的
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以钍（Ⅳ）为模板离子,制备了基于硅胶表面修饰的离子印迹聚合物.采用傅立叶变换红外光谱和N2吸附-脱附对其进行了结构表征.通过静态分析和动态分析系统研究了印迹聚合物对钍（Ⅳ）的吸附行为及选择性,结果表明该印迹材料对钍（Ⅳ）的等温吸附线属于Langmuir吸附模型.与非印迹聚合物相比,离子印迹聚合物对钍（Ⅳ）离子有较好的选择识别能力,模板离子钍（Ⅳ）相对竞争离子铀（Ⅵ）、镧（Ⅲ）和铈（Ⅲ）的选择系数分别是50.8,78.3和82.6.并且吸附速率快,10 min即达到吸附平衡,最大吸附容量为56.8 mg/g
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