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采用能带论中线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道方法，计算了ＮｄＦｅ１０Ｍ２（Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｗ）及渗Ｎ和Ｃ原子后材料的电子结构，得到了相应的总体态密度和各晶位的局域态密度，并由净自旋数得出了相应的磁矩及其变化，计算值与实验值相符合。
LMTO法研究NdFe10M2的电子结构与磁性能
【摘 要】
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采用能带论中线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道方法，计算了ＮｄＦｅ１０Ｍ２（Ｍ＝Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｗ）及渗Ｎ和Ｃ原子后材料的电子结构，得到了相应的总体态密度和各晶位的局域态密度，并由净自旋数得出了相应的磁矩及其变化，计算值与实验值相符合。
【机 构】
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华中师范大学物理系
【出 处】
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中国稀土学报
【发表日期】
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1999年1期
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