C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunzhaojian

【摘要】

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通过优化InGaP／GaAs异质结双极晶体管（HBT）的材料结构和器件结构，采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术，研制了C波段InGaP／GaAs HBT功率管．其击穿电压BVCBO大于31V，BV

【作者】

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申华军陈延湖严北平葛霁王显泰刘新宇吴德馨

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年9期

【关键词】

：

INGAP/GAAS 异质结双极晶体管功率管 InGaP/GaAs power heterojunction bipolar transistor

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通过优化InGaP／GaAs异质结双极晶体管（HBT）的材料结构和器件结构，采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术，研制了C波段InGaP／GaAs HBT功率管．其击穿电压BVCBO大于31V，BVCEO大于21V；在5.4GHz时连续波（CW）饱和输出功率达到1．4W，功率密度达到3．5W／mm，功率附加效率（PAE）大于40％．

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