Co—Si多层膜的透射电镜研究

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本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co,Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度,薄膜的表面形态和界面特征微结构。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co2Si,CoSi和CoSi2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340-370℃退火后在Co耗尽前Co2Si和CoSi2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而
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