【摘 要】
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研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管。利用此工艺试制
【机 构】
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北京微电子技术研究所,西安微电子技术研究所
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研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管。利用此工艺试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振，在负载电容Ｃ＿Ｌ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔ＿（ｐｄ）＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ，明显优于ＣＭＯＳ门。
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