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IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor),即电子注入增强门极晶体管,是东芝公司于1993年开发出的新一代电力电子器件.它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点.可以确信,它将会替代IGBT和GTO,并广泛应用于大功率电力电子设备,特别是FACTS设备.就其基本结构、工作原理和应用范围作了简要的介绍.