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美国JPSA的研究员利用266nm激光对晶圆进行前向刻蚀，提高了在每片晶圆上生产的发光二极管。而且这家公司的紫外二极管抽运固态激光器刻蚀速度可以达到100mm／s，宽度为2．5μm，处于工业领先水平。
266nm激光刻蚀促进发光二极管生产
【摘 要】
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美国JPSA的研究员利用266nm激光对晶圆进行前向刻蚀，提高了在每片晶圆上生产的发光二极管。而且这家公司的紫外二极管抽运固态激光器刻蚀速度可以达到100mm／s，宽度为2．5μm，处于工
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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2007年9期
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