【摘 要】
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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中P型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系．发现常温时，在同一Ge组分下，随着掺杂浓度的升高，杂质的电离度的先变小，而后又迅速
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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中P型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系．发现常温时，在同一Ge组分下，随着掺杂浓度的升高，杂质的电离度的先变小，而后又迅速上升到1．在同一掺杂浓度下，轻掺杂时，杂质的电离度随Ge组分的增加先变大，而后几乎不变；重掺杂时，杂质电离能变为0后，杂质电离度为1．低温下，轻掺杂时，载流子低温冻析效应较为明显，杂质的电离度普遍较小，当掺杂浓度大于Mott转换点时，载流子冻析效应不再明显，电离率迅速上升到1．在同一Ge组分下，随着掺杂浓度的升高，杂质的电
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