【摘 要】
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4.GaAs/GaAlAs QWIP探测器列阵的现状 图9示出了QWIP探测器的器件结构和能带图。器件的物理特性通常可用光导体的标准方程来描述。吸收的红外辐射使束缚在量子阱中的载流子
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4.GaAs/GaAlAs QWIP探测器列阵的现状 图9示出了QWIP探测器的器件结构和能带图。器件的物理特性通常可用光导体的标准方程来描述。吸收的红外辐射使束缚在量子阱中的载流子激发到连续态,
4. Current Status of GaAs / GaAlAs QWIP Detector Array FIG. 9 shows the device structure and the band diagram of the QWIP detector. The physical properties of the device can usually be described by the standard equations for photoconductors. Absorbed infrared radiation excites the carriers trapped in the quantum well to a continuous state,
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