光弹效应在光电子器件中的应用

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jimlancer

【摘要】

：

在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜

【作者】

：

邢启江徐万劲高文胜袁志军孙锴王爱民

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2002年z1期

【关键词】

：

WNi/半导体接触光弹效应光弹波导结构平面型光弹光电子器件. WNi/ semiconductor contact photoelastic effec

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在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成

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