【摘 要】
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<正> 集成电路器件制造工业要求尽快发展目前的紫外(UV)或者X射线微光刻技术,以便把刻制图案尺寸减小到小于0.5μm。微细光刻过程要求校准芯片的平台具有非常高的性能:总置位
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<正> 集成电路器件制造工业要求尽快发展目前的紫外(UV)或者X射线微光刻技术,以便把刻制图案尺寸减小到小于0.5μm。微细光刻过程要求校准芯片的平台具有非常高的性能:总置位重复精度应小于20nm,工作范围直径超过300mm。对于这种应用,为了改进现有的平台,要求新的设计和控制概念,使得纳米范围的定位精度能容易地实现。
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