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<正> 注入离子的剖面分布和离子注入引起的晶格损伤的恢复,是离子注入半导体激光退火效应的两个主要方面。近几年来,利用沟道背散射、电子衍射和透射电子显微镜等方法研究了离子注入半导体的激光退火效应。实验证明,激光辐照可以消除离子注入产生的晶格损伤,使注入区的电性能得到恢复。
激光辐照后硅中砷的剖面分布
【摘 要】
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<正> 注入离子的剖面分布和离子注入引起的晶格损伤的恢复,是离子注入半导体激光退火效应的两个主要方面。近几年来,利用沟道背散射、电子衍射和透射电子显微镜等方法研究了
【机 构】
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低能核物理研究所物理系,低能核物理研究所物理系
【出 处】
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北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1980年Z1期
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