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本文就近一、二年以来半导体光电器件制作技术的新工艺、新技术作了较全面的介绍。该文内容包括Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ—Ⅵ族化合物的单晶膜的外延生长工艺的改进;新的外延生长技术;Si及GaAs衬底上异质结电子学技术;制管工艺中的重点工艺的最新进展。井介绍了这些新技术在半导体光电器件中所取得的成就。
半导体光电器件制作技术的最新进展
【摘 要】
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本文就近一、二年以来半导体光电器件制作技术的新工艺、新技术作了较全面的介绍。该文内容包括Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ—Ⅵ族化合物的单晶膜的外延生长工艺的改进;新的外延生长技术;Si
【机 构】
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重庆光电技术研究所
【出 处】
：
半导体光电
【发表日期】
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1987年2期
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