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在太赫兹频段，受有源器件截止频率、击穿电压以及无源器件较低品质因素的限制，信号源很难实现高功率输出。基于CMOS工艺实现高功率太赫兹压控振荡器，首先运用有源状态分析MOSFET器件，并采用多层共面波导MCPW结构优化无源器件，提高其品质因数，实现了振荡器的基波频率接近有源器件的最高振荡频率；其次，采用Tnple-push结构实现三次谐波输出，并利用功率合成技术提升了谐波输出功率，实现了同时具有高频率、高功率特性的CMOS太赫兹压控振荡器。基于GF65nmCMOS工艺的仿真结果表明，振荡频率为291GHz时